IDT/ZnO/Al/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签

发明专利无效专利

申请号：
CN201210001750.1
IPC分类号：G06K19/077;B32B15/04;B32B9/04;H01Q1/38
申请日期：
2012-01-05
申请人：
天津理工大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	IDT/ZnO/Al/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签
申请号	CN201210001750.1	申请日期	2012-01-05
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-07-11	公开/公告号	CN102567779A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06K19/077 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G06 计算；推算；计数 G06K 数据识别；数据表示；记录载体；记录载体的处理（印刷本身入B41J） G06K19/00 连同机器一起使用的记录载体，并且至少其中一部分设计带有数字标记 G06K19/06 按数字标记的种类区分的，例如，形状、性质、代码 G06K19/067 带有导电标记、印刷电路或半导体电路元件的记录载体，例如，信用卡或识别卡（采用编码卡授权来自电话机的呼叫入H04M 1/675）〔5〕 G06K19/07 带有集成电路芯片〔5〕 G06K19/077 结构的细节，例如，在该载体中电路的装配〔5〕	IPC分类号	G;0;6;K;1;9;/;0;7;7;;;B;3;2;B;1;5;/;0;4;;;B;3;2;B;9;/;0;4;;;H;0;1;Q;1;/;3;8查看分类表>
申请人	天津理工大学	申请人地址	天津市西青区宾水西道391号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天津理工大学	当前权利人	天津理工大学
发明人	杨保和;孙素娟;徐晟;李翠平;张瑞
代理机构	天津佳盟知识产权代理有限公司	代理人	廖晓荣

摘要

本发明公开了一种IDT/ZnO/Al/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签，标签由端口谐振器和标签天线组成。该端口谐振器采用的是多层膜结构，可以提高标签的储存容量，增加标签的综合性能。与端口谐振器进行匹配设计了一款新型的弯折偶极子的标签天线，天线频率为2.45GHz，与传统天线相比增益和有效带宽明显增高，进而实现标签的远距离辐射。

1.一种IDT/ ZnO/ Al/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签，包括单端口谐振器与标签天线，其特征在于所述单端口谐振器采用IDT/ ZnO/ Al/金刚石多层膜结构，是在硅衬底上采用微波等离子CVD法制备金刚石膜，在金刚石膜上使用电子束蒸发系统制备
40nm-100nm厚度的 Al膜，再在Al膜上使用射频磁控溅射系统制备 C-轴取向的ZnO薄膜，最后在ZnO薄膜上使用电子束蒸发系统制备金属膜，再经过光刻制备出谐振器上的叉指换能器和开路反射栅；所述标签天线是弯折偶极子天线。
2.按照权利要求1所述的IDT/ ZnO/ Al/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签，其特征在于所述IDT/ ZnO/ Al/金刚石多层膜结构中，金刚石膜厚度大于由该标签中心频率所决定的声表面波波长3倍。
3.按照权利要求1或2所述的IDT/ ZnO/ Al/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签，其特征在于所述IDT/ ZnO/ Al/金刚石多层膜结构中，C-轴取向的ZnO薄膜的平均偏离度小于＜1°, 厚度为1/5-1/4声表面波的波长。
4.按照权利要求1所述的IDT/ ZnO/ Al/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签，其特征在于所述叉指换能器中的叉指对数为24-28对。
5.按照权利要求4所述的IDT/ ZnO/ Al/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签，其特征在于所述叉指电极宽度为0.4μm-1.2μm，叉指电极厚度为40nm-150nm。
6.按照权利要求1所述的IDT/ ZnO/ Al/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签，其特征在于所述反射栅为开路反射栅，设置4-8组，每组9-11对。
7.按照权利要求5或6所述的IDT/ ZnO/ Al/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签，其特征在于所述叉指换能器和反射栅是在电子束蒸发系统制备的金属膜Al上，经过光刻技术制备出叉指换能器和反射栅的形状。
8.按照权利要求1-7所述的任一IDT/ ZnO/ Al/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签，其特征在于所述弯折偶极子天线的偶极子臂采用间隔距离不规则的直角来回弯折式。
9.按照权利要求8所述的IDT/ ZnO/ Al/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签，其特征在于所述弯折偶极子天线的制作采用的是铝基覆铜板RF4介质板，天线的轮廓是由铜片制成。
10.按照权利要求8或9所述的IDT/ ZnO/ Al/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签，其特征在于所述标签频率为2.45GHz-5.8.GHz。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
1	CN1881236A	2006-12-20	2005-06-17	声表面波射频辨识标签及其制造方法无效专利	上海古盛电子科技有限公司
2	CN1592099A	2005-03-09	2004-08-27	表面声波元件和配备有该元件的电子设备无效专利	精工爱普生株式会社
3	CN101388346A	2009-03-18	2007-09-12	在Si衬底上生长ZnO薄膜的方法无效专利	中国科学院半导体研究所
4	CN101018045A	2007-08-15	2007-02-08	弹性表面波元件及电子设备无效专利	精工爱普生株式会社

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
1	CN102903004A	2012-09-18	2012-09-18	一种用于电子标签领域的无源标签无效专利	盛世铸成科技(北京)有限公司

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供