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声表面波射频辨识标签及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200510026903.8
  • IPC分类号:G06K19/00;G06K7/00;H01L41/083;H01L41/18;H01L41/22
  • 申请日期:
    2005-06-17
  • 申请人:
    上海古盛电子科技有限公司
著录项信息
专利名称声表面波射频辨识标签及其制造方法
申请号CN200510026903.8申请日期2005-06-17
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2006-12-20公开/公告号CN1881236
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G06K19/00IPC分类号G;0;6;K;1;9;/;0;0;;;G;0;6;K;7;/;0;0;;;H;0;1;L;4;1;/;0;8;3;;;H;0;1;L;4;1;/;1;8;;;H;0;1;L;4;1;/;2;2查看分类表>
申请人上海古盛电子科技有限公司申请人地址
上海市天山路310号8A座 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海古盛电子科技有限公司当前权利人上海古盛电子科技有限公司
发明人刘建国
代理机构上海市华诚律师事务所代理人李平
摘要
一种声表面波射频辨识标签及其制造方法,主要包括单晶基片、至少一个叉指换能器和数条反射栅以及与叉指换能器相连接的天线,所述单晶基片为压电性基片,采用具有高机电耦合系数、能流角接近0和各向异性因子接近-1的硅酸镓镧晶体切向的硅酸镓镧晶体作为基片材料,使用的频率范围为400MHz-2.45GHz。其优点是相同长度的基片上,可以布置更多条数的反射栅,从而提高了编码容量,并且使用的温度场合更高。

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