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一种双声表面波应变传感器及其设计方法

发明公开无效专利
  • 申请号:
    CN201611233408.9
  • IPC分类号:G01B17/04
  • 申请日期:
    2016-12-28
  • 申请人:
    电子科技大学
著录项信息
专利名称一种双声表面波应变传感器及其设计方法
申请号CN201611233408.9申请日期2016-12-28
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2017-06-13公开/公告号CN106840056A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01B17/04IPC分类号G;0;1;B;1;7;/;0;4查看分类表>
申请人电子科技大学申请人地址
四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人电子科技大学当前权利人电子科技大学
发明人彭斌; 邓泽佳; 张万里; 李凌; 崔亦霖; 弓冬冬; 周伟; 谢小伟; 喻恒
代理机构电子科技大学专利中心代理人闫树平
摘要
本发明属于声表面波传感器的设计领域,具体为一种基于硅酸镓镧的双声表面波应变传感器及其设计方法。本发明通过在同一块LGS基片上关于欧拉角为(0°,138.5°,90°)对称的两个切向上分别制作一个声表面波谐振器,利用两个谐振器温度频率特性相同的特点,从而制成双SAW应变传感器,旨在消除SAW应变传感器在应变测试的过程中温度对于它的影响。本发明所设计的双SAW应变传感器能将应变从温度的影响中分离出来,极大地减小了温度对于应变测试所造成的影响,可以在任何基片能承受的温度范围内,实现对应变的准确测量。

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