在Si衬底上生长ZnO薄膜的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200710121659.2
IPC分类号：H01L21/36;H01L33/00
申请日期：
2007-09-12
申请人：
中国科学院半导体研究所

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专利名称	在Si衬底上生长ZnO薄膜的方法
申请号	CN200710121659.2	申请日期	2007-09-12
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2009-03-18	公开/公告号	CN101388346
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/36 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/34 具有H01L 21/06，H01L 21/16及H01L 21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件〔2〕 H01L21/36 半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;6;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	崔军朋;段垚;王晓峰;曾一平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	汤保平

摘要

一种在Si衬底上生长ZnO薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：利用化学清洗方法将Si衬底表面清洗干净，并利用氢氟酸刻蚀法去除其表面的氧化层；步骤2：将处理干净的Si衬底放入沉积设备中，蒸发一层金属缓冲层；步骤3：将覆盖金属缓冲层的Si衬底放入生长设备中，生长ZnO同质缓冲层；步骤4：在ZnO同质缓冲层上生长ZnO薄膜，完成在Si衬底上ZnO薄膜的制备。

1、一种在Si衬底上生长ZnO薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：利用化学清洗方法将Si衬底表面清洗干净，并利用氢氟酸刻蚀法去除其表面的氧化层；步骤2：将处理干净的Si衬底放入沉积设备中，蒸发一层金属缓冲层；步骤3：将覆盖金属缓冲层的Si衬底放入生长设备中，生长ZnO同质缓冲层；步骤4：在ZnO同质缓冲层上生长ZnO薄膜，完成在Si衬底上ZnO薄膜的制备。
2 、如权利要求1所述的在Si衬底上生长Zn0薄膜的方法，其特征在于，其中所述的Si衬底包括：（001 ) 、（ 011 )或（111 )晶向的Si衬底。
3 、如权利要求1所述的在Si衬底上生长Zn0薄膜的方法，其特征在于，其中所述的金属缓冲层包括：金、银、铝或镁。
4 、如权利要求1所述的在Si衬底上生长Zn0薄膜的方法，其特征在于，其中所述金属缓冲层的厚度为0.5〜10 um。
5 、如权利要求1所述的在S i衬底上生长ZnO薄膜的方法，其特征在于，其中所述的蒸发金属的沉积设备为物理气相沉积设备。
6 、如权利要求1所述的在S i衬底上生长Zn0薄 5 膜的方法，其特征在于，其中所述的生长设备包括：分子束外延设备、化学气相沉积设备、金属有机物化学气相沉积设备或激光脉冲沉积设备.。
7 、如权利要求6所述的在S i衬底上生长Zn0薄膜的方法，其特征在于，其中所述的采用化学气相沉io 积设备生长Zn0薄膜时，是用金属Zn和H20作为源材料，N2作为载气进行的。
8 、如权利要求1所述的一种在S i衬底上生长Zn0 薄膜的方法，其特征在于，其中所述的Zn0同质缓冲层的生长温度为4 5 0°C〜7 0 0 °C，厚度为l 0 015 nm〜6 0 0nm。
9 、如权利要求1所述的一种在S i衬底上生长ZnO 薄膜的方法，其特征在于，其中所述的ZnO薄膜的生长温度为7 5 0〜8 5 0°C，厚度为l um〜1 0 0 ti m 。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
1	CN102567779A	2012-01-05	2012-01-05	IDT/ZnO/Al/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签无效专利	天津理工大学
2	CN104103723B	2014-08-11	2014-08-11	氮化镓发光二极管及其制作方法有效专利	安徽三安光电有限公司

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