R－T－B系烧结磁体的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201580048790.3
IPC分类号：H01F41/02;B22F3/00;B22F3/24
申请日期：
2015-09-08
申请人：
日立金属株式会社

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著录项信息

专利名称	R－T－B系烧结磁体的制造方法
申请号	CN201580048790.3	申请日期	2015-09-08
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-05-17	公开/公告号	CN106688065A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01F41/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01F 磁体；电感；变压器；磁性材料的选择〔2〕 H01F41/00 专用于制造或装配磁体、电感器或变压器的设备或方法；专用于制造磁性材料的设备或方法 H01F41/02 用于制造磁芯、线圈或磁体的〔3〕	IPC分类号	H;0;1;F;4;1;/;0;2;;;B;2;2;F;3;/;0;0;;;B;2;2;F;3;/;2;4查看分类表>
申请人	日立金属株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日立金属株式会社	当前权利人	日立金属株式会社
发明人	三野修嗣
代理机构	北京尚诚知识产权代理有限公司	代理人	龙淳

摘要

包括在R－T－B系烧结磁体的表面存在RLM合金(RL是Nd和/或Pr，M是选自Cu、Fe、Ga、Co、Ni、Al中的1种以上的元素)的粉末和RH化合物(RH是Dy和/或Tb，RH化合物是选自RH氟化物、RH氧化物、RH氧氟化物中的1种或2种以上)的粉末的状态下，在R－T－B系烧结磁体的烧结温度以下进行热处理的工序。RLM合金包含65原子％以上的RL，且上述RLM合金的熔点在上述热处理的温度以下。热处理在RLM合金的粉末和RH化合物的粉末以RLM合金：RH化合物＝9.6：0.4～5：5的质量比率存在于R－T－B系烧结磁体的表面的状态下进行。

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