基于双气体源的大气压放电冷等离子体发生器

发明专利有效专利

申请号：
CN200610012139.3
IPC分类号：H05H1/46;H05H1/30
申请日期：
2006-06-07
申请人：
清华大学

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专利名称	基于双气体源的大气压放电冷等离子体发生器
申请号	CN200610012139.3	申请日期	2006-06-07
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2006-11-08	公开/公告号	CN1859825
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H05H1/46 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H05 其他类目不包含的电技术 H05H 等离子体技术（离子束管入H01J 27/00；磁流体发电机入H02K 44/08；涉及生成等离子体的产生X射线的入H05G 2/00）；加速的带电粒子或中子的产生（从放射源获取中子的入G21，例如：G21B，G21C，G21G）；中性分子或原子射束的产生或加速（原子钟入G04F 5/14；受激发射器件入H01S；通过与由分子、原子或亚原子粒子的能级所确定的基准频率相比较而进行频率调整的入H03L 7/26） H05H1/00 等离子体的产生；等离子体的处理（等离子体技术在热核聚变反应器的应用入G21B 1/00） H05H1/24 等离子体的产生〔2〕 H05H1/46 应用外加电磁场的，例如高频能或微波能（H05H 1/26优先）〔3〕	IPC分类号	H;0;5;H;1;/;4;6;;;H;0;5;H;1;/;3;0查看分类表>
申请人	清华大学	申请人地址	北京市－82信箱变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学	当前权利人	清华大学
发明人	李和平;高星;包成玉;张小章;王华博;孙文廷
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明属于大气压放电冷等离子体发生器技术领域，其特征在于：所述发生器的供气系统采用双气体源供气系统和裸露电极结构，从而构成平板型的或圆型或椭圆型的大气压放电冷等离子体发生器。所述的双气体源供气系统可以实现诱导空气或其它大气压下不能稳定放电的气体放电，裸露电极结构可以避免已有的介质阻挡放电中电极表面电介质损坏的问题，使冷等离子体工作气体最终为空气或其它大气压下不能稳定放电的气体，从而可以大大降低该项技术的使用成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
1	CN1552082A	2004-12-01	2002-07-01	用于大气压力等离子体发射装置的新电极和使用它的方法无效专利	等离子体溶胶公司
2	CN1525803A	2004-09-01	2003-02-27	常压射频和直流混合型冷等离子体系统及其喷枪无效专利	王守国
3	CN2682773Y	暂无	2004-03-18	常压射频低温冷等离子体放电通道装置失效专利	中国科学院微电子研究所
4	CN200953682Y	暂无	2006-06-07	基于双气体源的大气压放电冷等离子体发生器失效专利	清华大学
5	CN1221967A	1999-07-07	1998-12-03	等离子处理装置和等离子处理方法失效专利	松下电工株式会社
6	JP2002363758A	暂无	2001-06-12	NORMAL PRESSURE PLASMA TREATMENT APPARATUS失效专利	SEKISUI CHEMICAL CO LTD

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
1	EP3219786A1	2017-03-14	2017-03-14	A NOVEL PLASMA INDUCED MUTATION BREEDING DEVICE公开	Luoyang TMAXTREE Biotechnology Co.; Ltd

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