常压射频低温冷等离子体放电通道装置

实用新型专利null

申请号：
CN200420004986.1
IPC分类号：--
申请日期：
2004-03-18
申请人：
中国科学院微电子研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	常压射频低温冷等离子体放电通道装置
申请号	CN200420004986.1	申请日期	2004-03-18
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	中国科学院微电子研究所	申请人地址	北京市朝阳区北土城西路3号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院微电子研究所	当前权利人	中国科学院微电子研究所
发明人	王守国
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	汤保平

摘要

本实用新型公开一种常压射频低温冷等离子体放电通道装置，包括供气源，放电通道主体和射频电源，放电通道主体包括倒U形的外壳，其内部顶表面上设置有顶面绝缘体，两个内部侧表面上分别设置有侧面绝缘体；设置在顶面绝缘体的下表面上，位于两个侧面绝缘体之间并与射频电源相连的第一平板电极；及第二平板电极，其与外壳的开口端相连，与第一平板电极相对且平行，第二平板电极与第一电极相互绝缘，第二电极的中部设置有通孔，第一和第二平板电极及两个侧面绝缘体围成一个四周封闭、两端开口、横截面为长方形的长方体状的放电通道，供气源通过导管和通孔与放电通道连通。本实用新型等离子体放电装置，能够以较低击穿电压产生均匀大面积的等离子体。

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