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光刻图形的形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200610029925.4
IPC分类号：G03F7/20;G03F7/00;H01L21/027
申请日期：
2006-08-10
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	光刻图形的形成方法
申请号	CN200610029925.4	申请日期	2006-08-10
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2008-02-13	公开/公告号	CN101122749
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F7/20 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F7/00 图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备（用于特殊工艺的光致抗蚀剂结构见相关的位置，例如，B44C，H01L，例如，H01L 21/00，H05K）〔3，5〕 G03F7/20 曝光及其设备（复制用照相印制设备入G03B 27/00）〔4〕	IPC分类号	G;0;3;F;7;/;2;0;;;G;0;3;F;7;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;7查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
发明人	李建茹;宋铭峰;郑莲晃
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	逯长明

摘要

一种光刻图形的形成方法，包括：提供一半导体基底；将所述半导体基底移入等离子体刻蚀设备对所述半导体基底表面进行等离子体灰化处理；在所述半导体基底上旋涂光刻胶；将所述带有光刻胶的半导体基底送入曝光机进行曝光；将曝光后的晶片移入显影设备进行显影。

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