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X射线光刻对准标记图形

发明专利无效专利

申请号：
CN03148990.7
IPC分类号：--
申请日期：
2003-07-03
申请人：
中国科学院微电子中心

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	X射线光刻对准标记图形
申请号	CN03148990.7	申请日期	2003-07-03
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-01-19	公开/公告号	CN1567096
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	中国科学院微电子中心	申请人地址	北京市德胜门外祁家豁子变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院微电子中心	当前权利人	中国科学院微电子中心
发明人	谢常青;叶甜春;陈大鹏;李兵
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	汤保平

摘要

本发明涉及一套X射线光刻对准标记图形，包括X射线掩模上用于对准的被指定测量图形和半导体基片上用于对准的被指定测量图形。本发明通过采用多线坐标值平均的方法来降低X射线掩模对准标记图形、半导体基片对准标记图形的定位和识别误差，降低X射线光刻的对准误差，提高X射线光刻的对准精度。

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