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一种基于硅基三维纳米阵列的全环栅CMOS结构和制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310736928.1
  • IPC分类号:H01L27/092H01L29/423
  • 申请日期:
    2013-12-27
  • 申请人:
    中国科学院上海微系统与信息技术研究所
著录项信息
专利名称一种基于硅基三维纳米阵列的全环栅CMOS结构和制备方法
申请号CN201310736928.1申请日期2013-12-27
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-04-09公开/公告号CN103715195A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/092IPC分类号H01L27/092;H01L29/423查看分类表>
申请人中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请人地址
上海市长宁区长宁路8*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院上海微系统与信息技术研究所当前权利人中国科学院上海微系统与信息技术研究所
发明人王庶民;李耀耀;龚谦;程新红
代理机构上海智信专利代理有限公司代理人潘振甦
摘要
本发明涉及一种全环栅CMOS场效应晶体管和制备方法,其特征在于所述硅衬底或SOI衬底上生长有n型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列和p型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列;所述n型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列和p型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列间隔排列。包括硅或SOI衬底,利用ALD技术实现纳米线周围栅介质和金属栅极材料全包围,制备横向三维p型和n型单片集成纳米线阵列,得到全环栅CMOS场效应晶体管。本发明能够满足10nm以下技术节点对器件性能提出的高要求,为大规模集成电路中的10nm以下技术节点提供技术积累和技术支撑。

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