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半导体存储装置及其操作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201711481897.4
IPC分类号：G11C16/26
申请日期：
2017-12-29
申请人：
爱思开海力士有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体存储装置及其操作方法
申请号	CN201711481897.4	申请日期	2017-12-29
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-11-23	公开/公告号	CN108877864A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/26 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕 G11C16/26 读出或读电路；数据输出电路〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;2;6查看分类表>
申请人	爱思开海力士有限公司	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	爱思开海力士有限公司	当前权利人	爱思开海力士有限公司
发明人	崔吉福;赵诚勋;金成镐;朴玟相;李庆泽;曹明宽
代理机构	北京三友知识产权代理有限公司	代理人	李辉;刘久亮

摘要

半导体存储装置及其操作方法。半导体存储装置可以包括控制逻辑。控制逻辑可以通过读取和写入(读取/写入)电路来联接至位线并且可以联接至字线。控制逻辑被配置为确定用于读写电路的选通信号的激活时间的持续时间。

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