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一种氧化钨纳米线及氧化钨纳米线氨敏传感器的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810116299.1
  • IPC分类号:C01G41/02;G01N27/00
  • 申请日期:
    2008-07-08
  • 申请人:
    清华大学
著录项信息
专利名称一种氧化钨纳米线及氧化钨纳米线氨敏传感器的制备方法
申请号CN200810116299.1申请日期2008-07-08
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2008-12-10公开/公告号CN101318703
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01G41/02IPC分类号C;0;1;G;4;1;/;0;2;;;G;0;1;N;2;7;/;0;0查看分类表>
申请人清华大学申请人地址
北京市-82信箱 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人清华大学当前权利人清华大学
发明人唐子龙;徐宇兴;张中太
代理机构北京市德恒律师事务所代理人马佑平
摘要
一种氧化钨纳米线氨敏传感器及其制备方法,属于气敏传感器技术领域。将钨酸钠溶于去离子水形成钨酸钠溶液;缓慢滴加盐酸和草酸,搅拌;将淡黄色胶束溶液转入反应釜中加入25~30克硫酸钾搅拌均匀,180℃温度下水热处理12~144小时;水热产物洗涤,在65℃空气气氛下充分干燥即制得所述氧化钨纳米线。根据制备得到的氧化钨纳米线,添加粘合剂以及玻璃料配制成气敏材料浆料;元件烧结;老化制得氧化钨纳米线氨敏传感器。本发明步骤简单,参数容易控制,整个制备过程能源消耗少,制备的氧化钨纳米线具有大的比表面积;制备的氧化钨氨敏传感器对低浓度氨气(1~100ppm)具有很高的灵敏度、良好的重复性和很高的稳定性。

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