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一种多晶氧化钨纳米带高灵敏紫外光电探测器的制备方法

发明公开无效专利
  • 申请号:
    CN201510177854.1
  • IPC分类号:H01L31/18; B82Y30/00; B82Y40/00; D01F9/08
  • 申请日期:
    2015-04-15
  • 申请人:
    宁波工程学院
著录项信息
专利名称一种多晶氧化钨纳米带高灵敏紫外光电探测器的制备方法
申请号CN201510177854.1申请日期2015-04-15
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2015-09-09公开/公告号CN104900754A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8;;; ;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;; ;B;8;2;Y;4;0;/;0;0;;; ;D;0;1;F;9;/;0;8查看分类表>
申请人宁波工程学院申请人地址
浙江省宁波市海曙区翠柏路89号宁波工程学院材料所 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人宁波工程学院当前权利人宁波工程学院
发明人杨为佑; 贺之洋; 刘乔; 侯慧林; 高凤梅; 杨祚宝
代理机构四川君士达律师事务所代理人芶忠义
摘要
本发明公开了一种多晶氧化钨纳米带高灵敏紫外光电探测器的制备方法,包括以下步骤:(1)、将配置的WCl6/聚乙烯吡咯烷酮(PVP)前驱体纺丝液,置于静电纺丝机中进行静电纺丝,收集得到WCl6/PVP有机前驱体纳米带;(2)、将所述WCl6/PVP前驱体纳米带进行高温煅烧,实现WO3多晶纳米带的制备。(3)、WO3纳米带超声分散后,滴涂到叉指电极上,烘干,构建WO3多晶纳米带光电探测器件,然后以激光灯和氙灯为光源,用半导体参数测试系统对其光电探测性能进行检测。本发明与已有技术相对比,能够实现了WO3紫外光电探测器在低偏压下的高光电流响应,且光暗电流比达1000,具有超高灵敏度。

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