氧化钨吸附管的制作方法及实施所述制作方法的镀膜装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201210149030.X
IPC分类号：C23C14/32;C23C14/50;C23C14/58
申请日期：
2012-05-14
申请人：
华瑞科学仪器（上海）有限公司

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专利名称	氧化钨吸附管的制作方法及实施所述制作方法的镀膜装置
申请号	CN201210149030.X	申请日期	2012-05-14
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2012-09-19	公开/公告号	CN102677001A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/32 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/24 真空蒸发〔4〕 C23C14/32 爆炸法；蒸发及随后的气化物电离法（C23C 14/34至C23C 14/48优先）〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;2;;;C;2;3;C;1;4;/;5;0;;;C;2;3;C;1;4;/;5;8查看分类表>
申请人	华瑞科学仪器（上海）有限公司	申请人地址	上海市嘉定区嘉定工业区汇旺东路990号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华瑞科学仪器（上海）有限公司	当前权利人	华瑞科学仪器（上海）有限公司
发明人	俞志鹤;闵嘉华;居海斌
代理机构	上海光华专利事务所	代理人	李仪萍

摘要

本发明提供一种镀膜装置及利用镀膜装置制作氧化钨吸附管的方法，其中，氧化钨吸附管制作方法包括：将吸附管基管置于座体的承载台上；将钨丝和弹性件跨接在座体上，使得钨丝贯穿吸附管基管；将配置有吸附管基管和钨丝的镀膜装置置于真空环境下，对钨丝进行加电处理，钨丝在加电情况升华为钨气并遇到温度较低的吸附管基管后凝华在吸附管基管的内壁表面以形成黑色的钨镀层；将凝华有钨镀层的吸附管基管进行加热氧化处理，以使得钨镀层氧化为浅黄色的三氧化钨，从而制作完成氧化钨吸附管。相较于现有技术，本发明镀膜装置结构简单，利用镀膜装置制作氧化钨吸附管的方法简单、快速，且可使得制作出的氧化钨吸附管具有结合力强和均匀度高等优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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