加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种三氧化钨一维结构纳米线与多级纳米结构的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201410083261.4
  • IPC分类号:C01G41/00;B82Y30/00;B82Y40/00
  • 申请日期:
    2014-03-07
  • 申请人:
    天津大学
著录项信息
专利名称一种三氧化钨一维结构纳米线与多级纳米结构的制备方法
申请号CN201410083261.4申请日期2014-03-07
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2014-06-18公开/公告号CN103864148A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01G41/00IPC分类号C;0;1;G;4;1;/;0;0;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人天津大学申请人地址
天津市南开区卫津路92号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人天津大学当前权利人天津大学
发明人秦玉香;刘长雨;刘梅;柳杨;谢威威
代理机构天津市北洋有限责任专利代理事务所代理人张宏祥
摘要
本发明公开了一种三氧化钨一维结构纳米线与多级纳米结构的制备方法,采用水热法制备出形貌可控的从一维结构纳米线到多级结构的WO3纳米材料。通过控制两个主要参数:水热反应时间与温度,在氧化铝基底表面直接合成三氧化钨一维结构纳米线与多级纳米结构。本发明具有设备简单、操作方便、工艺参数易于控制、成本低廉等优点;在降低气敏传感器的工作温度、提高传感器的灵敏度与响应速度方面提供了很大的应用与研究空间。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供