R-T-B系烧结磁体的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201780013630.4
IPC分类号：H01F1/057;B22F1/00;B22F3/00;B22F3/24;C22C33/02;C22C38/00;H01F41/02
申请日期：
2017-03-10
申请人：
日立金属株式会社

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	R-T-B系烧结磁体的制造方法
申请号	CN201780013630.4	申请日期	2017-03-10
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-10-23	公开/公告号	CN108701517A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01F1/057 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01F 磁体；电感；变压器；磁性材料的选择〔2〕 H01F1/00 按所用磁性材料区分的磁体或磁性物体；磁性材料的选择 H01F1/01 无机材料的（H01F 1/44优先）〔6〕 H01F1/03 按其矫顽力区分的〔6〕 H01F1/032 硬磁材料的〔6〕 H01F1/04 金属或合金〔6〕 H01F1/047 按其成分区分的合金〔5，6〕 H01F1/053 含稀土金属的〔5，6〕 H01F1/055 和磁性过渡金属的，如SmCo5〔6〕 H01F1/057 和Ⅲa族元素，如Nd2Fe14B〔6〕	IPC分类号	H;0;1;F;1;/;0;5;7;;;B;2;2;F;1;/;0;0;;;B;2;2;F;3;/;0;0;;;B;2;2;F;3;/;2;4;;;C;2;2;C;3;3;/;0;2;;;C;2;2;C;3;8;/;0;0;;;H;0;1;F;4;1;/;0;2查看分类表>
申请人	日立金属株式会社	申请人地址	日本国东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日立金属株式会社	当前权利人	日立金属株式会社
发明人	石井伦太郎;佐藤铁兵;国吉太
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	任岩

摘要

一种R‑T‑B系烧结磁体的制造方法，其中，所述R‑T‑B系烧结磁体含有R：28.5～33.0质量％(R为稀土元素中的至少1种，且包含Nd和Pr中的至少1种)、B：0.850～0.910质量％、Ga：0.2～0.7质量％、Cu：0.05～0.50质量％和Al：0.05～0.50质量％，余量为T(T为Fe和Co，T的90质量％以上为Fe)和不可避免的杂质，且满足：式(1)(14[B]/10.8＜[T]/55.85([B]是用质量％表示的B的含量，[T]是用质量％表示的T的含量))，所述R‑T‑B系烧结磁体的制造方法包括如下工序：准备粒径D50和粒径D99满足式(2)(3.8μm≤D50≤5.5μm)和式(3)(D99≤10μm)的合金粉末的工序；将上述合金粉末进行成形而得到成形体的成形工序；将上述成形体进行烧结而得到烧结体的烧结工序；以及，对上述烧结体实施热处理的热处理工序。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供