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具有通触点的半导体器件及相关的制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110309959.X
  • IPC分类号:H01L21/768;H01L23/528
  • 申请日期:
    2011-10-13
  • 申请人:
    格罗方德半导体公司
著录项信息
专利名称具有通触点的半导体器件及相关的制造方法
申请号CN201110309959.X申请日期2011-10-13
法律状态驳回申报国家暂无
公开/公告日2012-07-04公开/公告号CN102543848A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;8查看分类表>
申请人格罗方德半导体公司申请人地址
英国开曼群岛 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人格罗方德半导体公司当前权利人格罗方德半导体公司
发明人R·黎克特;J·奈恩里奇;H·许勒
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司代理人程伟;王锦阳
摘要
本发明涉及具有通触点的半导体器件及相关的制造方法,特别涉及一种半导体器件结构的设备及相关的制造方法。制造半导体器件结构的一种方法涉及形成覆盖形成在半导体基板中相邻栅极结构的掺杂区域的一层电介质材料并在所述层的电介质材料中形成导电触点。导电触点覆盖并电连接掺杂区域。所述方法通过形成覆盖导电触点的第二层的电介质材料、在覆盖导电触点的第二层中形成空隙区域、形成覆盖空隙区域的第三层的电介质材料、以及在第三层中形成覆盖第二层中的空隙区域的至少一部分的另一空隙区域来继续。所述方法通过形成填补这两个空隙区域以接触导电触点的导电材料来继续。

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