减少GaN层灼伤的GaN基LED芯片激光划片工艺

发明专利无效专利

申请号：
CN200410077424.4
IPC分类号：H01L33/00;H01L21/78;H01L21/301;B23K26/04
申请日期：
2004-12-07
申请人：
方大集团股份有限公司

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专利名称	减少GaN层灼伤的GaN基LED芯片激光划片工艺
申请号	CN200410077424.4	申请日期	2004-12-07
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-06-14	公开/公告号	CN1787238
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;1;;;B;2;3;K;2;6;/;0;4查看分类表>
申请人	方大集团股份有限公司	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	沈阳方大半导体照明有限公司	当前权利人	沈阳方大半导体照明有限公司
发明人	巫仕文
代理机构	深圳市顺天达专利商标代理有限公司	代理人	郭伟刚

摘要

一种减少GaN层灼伤的GaN基LED芯片激光划片工艺，其特征在于，在激光划片时，使用焦距为18～22mm的光学透镜，使激光比较集中地射在所述芯片的蓝宝石层，所述焦距最好为20mm。在激光划片时，通过所述光学透镜，将激光聚集到蓝宝石层外表面至蓝宝石层外表面以外5微米范围内，最好将激光聚集到蓝宝石层外表面上。本发明使用焦距为18～22mm的长焦距光学镜头，激光的发散角度比较小，功率密度比较大，增加蓝宝石对激光能量的吸收，因此使用长焦距的光学镜头能较好的解决激光对GaN基LED芯片的GaN层灼伤。另外划片时严格聚焦到芯片背面或背面以外，也可以有效地避免激光对GaN层灼伤而产生白点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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