一种烧蚀状态下中Z元素透射能流的测量靶及测量方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201810424152.2
IPC分类号：G21B1/23;G21C17/00
申请日期：
2018-05-07
申请人：
中国工程物理研究院激光聚变研究中心

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专利名称	一种烧蚀状态下中Z元素透射能流的测量靶及测量方法
申请号	CN201810424152.2	申请日期	2018-05-07
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2018-10-02	公开/公告号	CN108615564A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G21B1/23 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G21 核物理；核工程 G21B 聚变反应堆（不可控聚变，其应用入G21J） G21B1/02 （转入G21B 1/00，G21B 3/00） G21B1/11 零件〔8〕 G21B1/23 光学系统，例如，照射目标、加热等离子体或等离子体诊断学〔8〕	IPC分类号	G;2;1;B;1;/;2;3;;;G;2;1;C;1;7;/;0;0查看分类表>
申请人	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	申请人地址	四川省绵阳市绵山路64号919-988信箱变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	当前权利人	中国工程物理研究院激光聚变研究中心
发明人	张璐;杨品;张晓璐;况龙钰;林雉伟;景龙飞;李丽灵;郑建华;黎航;江少恩
代理机构	北京同辉知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	张明利

摘要

本发明涉及一种烧蚀状态下中Z元素透射能流的测量靶及测量方法，属于间接驱动激光聚变技术领域，包括靶面，所述靶面为逐层堆叠的平面靶结构，其由上至下依次包括第一碳氢膜层、中Z元素层和第二碳氢膜层，且第一碳氢膜层的厚度大于第二碳氢膜层的厚度，所述第一碳氢膜层作为激光束入射面，所述第二碳氢膜层作为观测面，所述中Z元素层的厚度可调，本发明中靶面采用逐层堆叠的平面靶结构替代传统的梯度掺杂结构，有利于突出掺杂元素本身的烧蚀特性以及获得X射线通过加热后掺杂元素的透过率，结构新颖，操作便捷且测量精准。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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