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一种固体电介质材料陷阱参数测量装置及测量方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201210323233.6
  • IPC分类号:G01N27/60
  • 申请日期:
    2012-09-04
  • 申请人:
    西安交通大学
著录项信息
专利名称一种固体电介质材料陷阱参数测量装置及测量方法
申请号CN201210323233.6申请日期2012-09-04
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2012-12-26公开/公告号CN102841123A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01N27/60IPC分类号G;0;1;N;2;7;/;6;0查看分类表>
申请人西安交通大学申请人地址
陕西省西安市咸宁西路28号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安交通大学当前权利人西安交通大学
发明人申文伟;张冠军;穆海宝;邓军波
代理机构西安通大专利代理有限责任公司代理人陆万寿
摘要
本发明公开了一种固体电介质陷阱参数测量装置及测量方法,采用三电极电晕放电系统对固体电介质材料进行充电,将待测材料试样置于单针电极和金属网电极下方,试样通过导电硅脂粘在金属圆盘电极上,三电极系统对试样充电,充电后,撤掉外施电压,并短路放电,去除表面自由电荷,测量试样的表面电位衰减,通过信号调理电路和数据采集系统计算得出材料的陷阱能级和陷阱密度参数;系统包括:恒温箱体,三电极电晕充电系统,表面电位测量系统,试样预热系统,可旋转电极,温湿度控制系统。本发明为陷阱参数表征聚合物绝缘材料老化状况和聚合物的老化规律研究,为固体电介质表面带电现象及其对沿面闪络性能影响等方面的研究提供一种有效的分析手段。

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