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半导体模块及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010331014.7
  • IPC分类号:H01L21/54;H01L23/18
  • 申请日期:
    2020-04-24
  • 申请人:
    英飞凌科技股份有限公司
著录项信息
专利名称半导体模块及其制造方法
申请号CN202010331014.7申请日期2020-04-24
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2020-10-30公开/公告号CN111863632A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/54IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;5;4;;;H;0;1;L;2;3;/;1;8查看分类表>
申请人英飞凌科技股份有限公司申请人地址
德国瑙伊比贝尔格市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人英飞凌科技股份有限公司当前权利人英飞凌科技股份有限公司
发明人G·特里奇伦加拉詹
代理机构永新专利商标代理有限公司代理人刘炳胜
摘要
一种用于制造功率半导体模块装置(100)的方法包括:使无机填充物(81)与浇注材料(5)混合,由此制备包括第一浓度的无机填充物(81)的混合物,其中,所述无机填充物(81)具有高于浇注材料(5)的密度(ρcc)的密度(ρf)。所述方法还包括:将包括无机填充物(81)和浇注材料(5)的混合物填充到外壳(7)中,其中,半导体衬底(10)被布置在外壳(7)内,并且其中,至少一个半导体主体(20)被布置在半导体衬底(10)的顶表面上;执行沉淀步骤,在沉淀步骤期间,无机填充物(81)沉淀到半导体衬底(10)和所述至少一个半导体主体(20)上,由此形成包括浇注材料(5)的部分和无机填充物(81)的第一层(800)以及包括浇注材料(5)的剩余部分但没有无机填充物(81)的第二层(801);以及使浇注材料(5)硬化。

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