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一种同时测量同位素丰度与杂质含量的质谱系统与方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110302534.X
  • IPC分类号:G01N30/72;G01N30/06
  • 申请日期:
    2021-03-22
  • 申请人:
    启先核(北京)科技有限公司
著录项信息
专利名称一种同时测量同位素丰度与杂质含量的质谱系统与方法
申请号CN202110302534.X申请日期2021-03-22
法律状态实质审查申报国家暂无
公开/公告日2021-07-23公开/公告号CN113156032A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01N30/72IPC分类号G;0;1;N;3;0;/;7;2;;;G;0;1;N;3;0;/;0;6查看分类表>
申请人启先核(北京)科技有限公司申请人地址
北京市石景山区八大处路49号院6号楼15层1543号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人启先核(北京)科技有限公司当前权利人启先核(北京)科技有限公司
发明人姜山
代理机构深圳市尔逊专利代理事务所(普通合伙)代理人周盈如
摘要
本发明提供一种同时测量同位素丰度与杂质含量的质谱系统与方法,质谱系统包括:离子源系统,用于进样和引出多电荷态的离子束流;加速度子系统,用于对多电荷态离子进行加速、同时将多电荷态离子在能量和动量进行聚焦和分析;以及探测器子系统,用于检测同位素离子的束流、区分两种同量异位素以及区分两种具有相同质荷比的离子。本发明利用多电荷态的电子回旋共振离子源能够瓦解所有分子离子,利用薄膜吸收技术和单粒子能量探测技术能够分辨同量异位素离子,从而显著提高了同位素丰度测量的灵敏度,降低了对每一种元素的检测下限,能够实现材料或样品中同位素丰度比值和杂质含量的同时、准确以及快速测量。

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