声表面波器件的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910311865.2
IPC分类号：H03H9/02
申请日期：
2019-04-18
申请人：
株式会社迪思科

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著录项信息

专利名称	声表面波器件的制造方法
申请号	CN201910311865.2	申请日期	2019-04-18
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-10-29	公开/公告号	CN110391793A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03H9/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03H 阻抗网络，例如谐振电路；谐振器（测量，试验入G01R；产生混响或回声装置入G10K 15/08；由分布阻抗，例如波导型，组成的阻抗网络或谐振器入H01P；放大的控制，例如放大器的带宽控制入H03G；调谐谐振电路，例如调谐耦合谐振电路入H03J；改善通信系统频率特性的网络入H04B） H03H9/00 包括机电或电声器件的网络；机电谐振器（制造压电或磁致伸缩元件入H01L 41/00；扬声器，话筒，唱机拾音器或类似物入H04R） H03H9/02 零部件〔3〕	IPC分类号	H;0;3;H;9;/;0;2查看分类表>
申请人	株式会社迪思科	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社迪思科	当前权利人	株式会社迪思科
发明人	甲斐贤哉
代理机构	北京三友知识产权代理有限公司	代理人	于靖帅;黄纶伟

摘要

提供声表面波器件的制造方法，能够抑制滤波的精度的降低。声表面波器件的制造方法具有如下的步骤：压电体陶瓷研磨步骤(ST1)，对压电体陶瓷基板的一个面进行研磨；支承基板研磨步骤(ST2)，对支承基板的一个面进行研磨；接合步骤(ST3)，使压电体陶瓷基板的一个面与支承基板的一个面接合而形成层叠基板；磨削步骤(ST4)，对压电体陶瓷基板的另一个面进行磨削；振动扩散层形成步骤(ST5)，将聚光点定位于压电体陶瓷基板的内部而照射激光光线，在压电体陶瓷基板的内部形成由改质层构成的振动扩散层；以及电极形成步骤(ST6)，在压电体陶瓷基板的另一个面上形成电极图案。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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