基于Pt反应电极的气体传感器及温度补偿方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910021771.8
IPC分类号：G01N27/407;G01K7/18
申请日期：
2009-03-31
申请人：
西安交通大学

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著录项信息

专利名称	基于Pt反应电极的气体传感器及温度补偿方法
申请号	CN200910021771.8	申请日期	2009-03-31
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-09-09	公开/公告号	CN101526494
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/407 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R） G01N27/26 通过测试电化学变量；用电解或电泳法〔5〕 G01N27/403 电池和电极组件〔5〕 G01N27/406 具有固体电解质的电池和探头〔5〕 G01N27/407 用于测试或分析气体〔5〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;4;0;7;;;G;0;1;K;7;/;1;8查看分类表>
申请人	西安交通大学	申请人地址	陕西省西安市咸宁路28号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	郑州炜盛电子科技有限公司	当前权利人	郑州炜盛电子科技有限公司
发明人	王海容;孙国良;蒋庄德;尹天朔;高鲜妮;陈灿;张小水;祁明锋;钟克创;高胜国
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司	代理人	朱海临

摘要

本发明公开了一种基于Pt反应电极的固体电解质气体传感器及温度补偿方法，所述传感器包括Pt反应电极、固体电解质晶片，该固体电解质晶片一个端面连接带第三引线的参比电极，其特征在于，所述Pt反应电极采用MEMS工艺制备在固体电解质晶片的另一个端面上，该Pt反应电极为带状结构，其两端头分设于固体电解质晶片端面过直径方向相对的边沿，并分别连接第一引线和第二引线；该带状电极沿固体电解质晶片端面的平面呈迂回布局。第一、第二引线之间连接电阻信号转换电路，将温度变化造成的Pt反应电极电阻值变化转换为电信号输入到信号处理电路，通过信号处理电路对初测得到的反映气体体积分数的电动势信号进行补偿，消除温度变化对传感器性能的影响。

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