一种高密度硅纳米锥结构及其在检测小分子中的应用

发明专利有效专利

申请号：
CN202110884302.X
IPC分类号：G01N27/64
申请日期：
2021-08-03
申请人：
吉林大学

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著录项信息

专利名称	一种高密度硅纳米锥结构及其在检测小分子中的应用
申请号	CN202110884302.X	申请日期	2021-08-03
法律状态	公开	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-11-02	公开/公告号	CN113588770A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/64 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R） G01N27/62 通过测试气体的电离，通过测试放电，例如阴极发射 G01N27/64 利用波或粒子辐射电离气体，例如在电离室内	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;6;4查看分类表>
申请人	吉林大学	申请人地址	吉林省长春市长春高新技术产业开发区前进大街2699号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	吉林大学	当前权利人	吉林大学
发明人	吕男;窦树珍;王中舜;陈琪野
代理机构	长春吉大专利代理有限责任公司	代理人	刘世纯;王恩远

摘要

一种高密度硅纳米锥结构及其作为表面辅助激光解吸/电离质谱基底在检测小分子中的应用，属于质谱分析技术领域。基底是通过直接无掩模版反应离子刻蚀单晶硅，再利用低浓度的氟化氢水溶液剥离表面氧化层获得。由于高密度的锥状结构的独特形貌，使得空气和基底物质之间的折射率系数呈现缓慢的递变，从而提高基底的吸光率，有利于高效地解吸以及电离分子；同时，硅纳米结构锥的尖端结构会促进能量和热电子聚集在尖端位置，有效地提高基底的解吸电离能力；另外，疏水的基底具有的浓缩效应有利于进一步提高检测灵敏度。因此利用疏水的高密度硅纳米锥结构物作为基底检测各种小分子时，不论在正离子模式还是负离子模式下，均具有高的检测灵敏度。

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