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存储元件和存储装置

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110257398.3
  • IPC分类号:H01L45/00;G11C16/00
  • 申请日期:
    2011-09-01
  • 申请人:
    索尼公司
著录项信息
专利名称存储元件和存储装置
申请号CN201110257398.3申请日期2011-09-01
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2012-04-04公开/公告号CN102403457A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L45/00IPC分类号H;0;1;L;4;5;/;0;0;;;G;1;1;C;1;6;/;0;0查看分类表>
申请人索尼公司申请人地址
日本神奈川厚木市朝日町4-14-1 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人索尼半导体解决方案公司当前权利人索尼半导体解决方案公司
发明人国清敏幸;服部真之介;中本光则
代理机构北京信慧永光知识产权代理有限责任公司代理人陈桂香;武玉琴
摘要
本发明公开了存储元件和存储装置,在该存储元件和该存储装置中,通过对形成在电阻变化层内部的定域格点进行去活化来使擦除状态保持稳定。所述存储元件包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极。所述存储层包括电阻变化层和离子源层,所述电阻变化层包含n型掺杂剂或p型掺杂剂,并且所述电阻变化层设置在所述第一电极侧,所述离子源层设置在所述电阻变化层与所述第二电极之间。所述存储装置包括脉冲施加部和多个上述存储元件。所述脉冲施加部选择性地向所述多个存储元件施加电压脉冲或电流脉冲。本发明的存储元件和存储装置能够使所述电阻变化层的在擦除状态下的电阻值稳定化,从而降低了制造的不合格元件的数量,并因此实现了容量的增大。

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