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一种半导体器件氢效应定量评价系统及方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010621597.7
  • IPC分类号:G01R31/26
  • 申请日期:
    2020-06-30
  • 申请人:
    中国空间技术研究院
著录项信息
专利名称一种半导体器件氢效应定量评价系统及方法
申请号CN202010621597.7申请日期2020-06-30
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-11-17公开/公告号CN111948506A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01R31/26IPC分类号G;0;1;R;3;1;/;2;6查看分类表>
申请人中国空间技术研究院申请人地址
北京市海淀区友谊路104号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国空间技术研究院当前权利人中国空间技术研究院
发明人吴照玺;段超;丁鸷敏;孟猛;贾晓;谢晨明;王小青;王旭;郑雪峰
代理机构中国航天科技专利中心代理人任林冲
摘要
本发明涉及一种半导体器件氢效应定量评价系统,包括气体预混合模块、样品试验模块、气体成分分析模块、真空保持模块和控制模块,气体预混合模块包括金属腔体、流量控制阀门、程控阀门和紊流机构,金属腔体为方形腔体,左右两个面上预留螺纹孔,用于安装流量控制阀门和阀门,紊流结构连接在金属腔体侧壁,位于流量控制阀门和程控阀门之间,对从流量控制阀门通入的气体充分混合。本发明中样品试验模块中的气体可以在试验过程中不断补充,保持氢气浓度恒定,确保试验样品处于稳定的氢气浓度中,进而确保氢效应评价结果准确。

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