双栅薄膜晶体管、传感器及制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910169239.4
IPC分类号：G01L1/16;G01L9/08;H01L29/786;H01L21/336
申请日期：
2019-03-06
申请人：
京东方科技集团股份有限公司;福州京东方光电科技有限公司

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著录项信息

专利名称	双栅薄膜晶体管、传感器及制作方法
申请号	CN201910169239.4	申请日期	2019-03-06
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-05-17	公开/公告号	CN109764983A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01L1/16 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01L 测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力（称量入G01G）〔4〕 G01L1/00 力或应力的一般计量（测量由于冲击产生的力入G01L 5/00）〔4〕 G01L1/16 利用压电器件的性质	IPC分类号	G;0;1;L;1;/;1;6;;;G;0;1;L;9;/;0;8;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人	京东方科技集团股份有限公司;福州京东方光电科技有限公司	申请人地址	北京市朝阳区酒仙桥路10号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	京东方科技集团股份有限公司,福州京东方光电科技有限公司	当前权利人	京东方科技集团股份有限公司,福州京东方光电科技有限公司
发明人	曾勇;陈周煜;林滨;付婉霞;乐发垫;霍亚洲;王洋
代理机构	北京鼎佳达知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	王伟锋;刘铁生

摘要

本发明公开了一种双栅薄膜晶体管、传感器及制作方法，涉及电子传感技术领域。本发明的主要技术方案为：一种双栅薄膜晶体管，其包括：应力传感层，所述应力传感层设置于底栅极和顶栅极之间，且所述应力传感层与所述底栅极和所述顶栅极之间均设有底栅极绝缘层；其中，对所述底栅极施加第一预设电压，对所述顶栅极施加第二预设电压，所述第一预设电压大于所述第二预设电压，在所述应力传感层形成内建电场降低所述底栅极和所述顶栅极之间的有效栅极电压，则源漏电流与外部压力成反比；或所述第一预设电压小于所述第二预设电压，在所述应力传感层形成内建电场增强所述底栅极和所述顶栅极之间的有效栅极电压，则源漏电流与外部压力成正比。

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