基于GaN的四原色LED芯片

发明专利无效专利

申请号：
CN201711382671.9
IPC分类号：H01L33/08;H01L33/32
申请日期：
2017-12-20
申请人：
西安智盛锐芯半导体科技有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	基于GaN的四原色LED芯片
申请号	CN201711382671.9	申请日期	2017-12-20
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2018-05-18	公开/公告号	CN108054258A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/08 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/08 具有多个在半导体中集成的发光区，例如横向不连续发光层或光致发光区（H01L 27/15优先）〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;8;;;H;0;1;L;3;3;/;3;2查看分类表>
申请人	西安智盛锐芯半导体科技有限公司	申请人地址	陕西省西安市高新区高新路36号A1号楼二层A19室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安智盛锐芯半导体科技有限公司	当前权利人	西安智盛锐芯半导体科技有限公司
发明人	尹晓雪
代理机构	西安嘉思特知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	黄晶晶

摘要

本发明涉及一种基于GaN的四原色LED芯片，包括：依次层叠设置于所述衬底(11)之上的蓝光缓冲层(101)、蓝光稳定层(102)、蓝光n型层(103)、蓝光有源层(104)、蓝光阻挡层(105)、蓝光p型层(106)，设置于所述蓝光缓冲层(101)之上的第一红光结构(21)、第一绿光结构(31)、第二红光结构(22)、第二绿光结构(32)，位于所述蓝光p型层(106)、所述第一红光结构(21)、所述第一绿光结构(31)、所述第二红光结构(22)、所述第二绿光结构(32)之上的第一氧化隔离层(107)，位于所述第一氧化隔离层(107)内的电极。本发明实施例，该四原色LED芯片将四色发光材料集成到单一芯片上，制备工艺简单，制作成本较低，且制备出的四原色LED芯片发光效率高、集成度高体积小。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供