每级具有多于两个检验电压的非易失性多级存储器单元编程

发明专利有效专利

申请号：
CN200880009916.6
IPC分类号：G11C11/56;G11C16/34
申请日期：
2008-03-28
申请人：
美光科技公司

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专利名称	每级具有多于两个检验电压的非易失性多级存储器单元编程
申请号	CN200880009916.6	申请日期	2008-03-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2010-02-17	公开/公告号	CN101652815
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/56 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/56 使用具有按级表示的多于两个稳态的存储元件的，如，电压、电流、相位、频率的（由这种形式的多稳态元件组成的计数装置入H03K 25/00，H03K 29/00）〔2〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;5;6;;;G;1;1;C;1;6;/;3;4查看分类表>
申请人	美光科技公司	申请人地址	美国爱达荷州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	美光科技公司	当前权利人	美光科技公司
发明人	维奥兰特·莫斯基亚诺;乔瓦尼·桑廷;托马索·瓦利;马西莫·罗西尼
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	王允方

摘要

本发明的实施例提供用于编程多级非易失性多级存储器单元的方法、装置、模块及系统。一种方法包含增加一数目的存储器单元中的每一者的阈值电压(Vt)直到所述Vt达到对应于一数目的编程状态中的编程状态的检验电压(VFY)为止。所述方法包含确定所述单元中的每一者的所述Vt是否已达到与所述编程状态相关联的预检验电压(PVFY)；向耦合到其Vt已达到所述PVFY的那些单元的位线选择性地施加偏压；将所述PVFY调节到不同的电平；及向耦合到其Vt已达到所述经调节的PVFY的单元的位线选择性地施加偏压，其中所述PVFY及所述经调节的PVFY小于所述VFY。

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