转印纳米线的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010247285.0
IPC分类号：B82B3/00
申请日期：
2010-08-06
申请人：
鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司

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著录项信息

专利名称	转印纳米线的方法
申请号	CN201010247285.0	申请日期	2010-08-06
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-03-14	公开/公告号	CN102372254A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B82B3/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B82 纳米技术〔7〕 B82B 通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子的集合而形成的纳米结构；其制造或处理〔7〕 B82B3/00 通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子集合的纳米结构的制造或处理〔7，2006.01〕	IPC分类号	B;8;2;B;3;/;0;0查看分类表>
申请人	鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司	申请人地址	广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	鸿富锦精密工业（深圳）有限公司,鸿海精密工业股份有限公司	当前权利人	鸿富锦精密工业（深圳）有限公司,鸿海精密工业股份有限公司
发明人	许嘉麟
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

一种转印纳米线的方法，其包括以下步骤提供一个第一基板，该第一基板具有一个第一表面，该第一表面有基本垂直于该第一表面的纳米线阵列；提供一个转印膜，该转印膜具有一个第二表面，该转印膜为疏水性且处于粘性流动状态；将该转印膜与该第一基板相互盖合，该第二表面朝向该第一表面；压合该第一基板与该转印膜使得该转印膜按照一预定方向推倒该纳米线阵列，从而将其中的至少一部分纳米线转印至该第二表面。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

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