N2O掺杂p型Zn1－xCoxO稀磁半导体薄膜及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810059939.X
IPC分类号：C22C29/12;C23C24/10;H01L43/10;H01L43/12;H01L21/36;H01F41/14;H01F10/193
申请日期：
2008-03-04
申请人：
浙江大学

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著录项信息

专利名称	N2O掺杂p型Zn1－xCoxO稀磁半导体薄膜及其制备方法
申请号	CN200810059939.X	申请日期	2008-03-04
法律状态	撤回	申报国家	暂无
公开/公告日	2008-08-06	公开/公告号	CN101235457
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C22C29/12 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C22 冶金；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理 C22C 合金（合金的处理入C21D、C22F） C22C29/00 以碳化物、氧化物、硼化物、氮化物或硅化物（例如金属陶瓷）或其他金属化合物（例如氮氧化合物、硫化物）为基的合金〔4〕 C22C29/12 以氧化物为基的〔4〕	IPC分类号	C;2;2;C;2;9;/;1;2;;;C;2;3;C;2;4;/;1;0;;;H;0;1;L;4;3;/;1;0;;;H;0;1;L;4;3;/;1;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;6;;;H;0;1;F;4;1;/;1;4;;;H;0;1;F;1;0;/;1;9;3查看分类表>
申请人	浙江大学	申请人地址	浙江省杭州市浙大路38号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	浙江大学	当前权利人	浙江大学
发明人	朱丽萍;叶志高;叶志镇;赵炳辉
代理机构	杭州求是专利事务所有限公司	代理人	韩介梅

摘要

本发明涉及N2O掺杂生长p型Zn1－xCoxO稀磁半导体薄膜的方法，采用的是脉冲激光沉积法。靶材是由纯ZnO、Co2O3粉末混合烧结的陶瓷靶，其中Co的摩尔百分含量x为0＜x≤10％。将衬底清洗后放入脉冲激光沉积装置生长室中，生长室抽真空，在压强为2～15Pa的N2O气氛下生长，生长温度为300～700℃。本发明方法简单，p型掺杂浓度可以通过调节N2O气体压强来控制；本方法制得的p型Zn1－xCoxO稀磁半导体薄膜同时具有半导体的性能及磁学性能。载流子浓度为1015～1018cm－3。

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