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一种制备P型掺杂非晶硅碳薄膜的装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310552032.8
  • IPC分类号:C23C16/44;C23C16/448;C23C16/30;H01L31/20
  • 申请日期:
    2013-11-08
  • 申请人:
    蚌埠玻璃工业设计研究院;中国建材国际工程集团有限公司
著录项信息
专利名称一种制备P型掺杂非晶硅碳薄膜的装置
申请号CN201310552032.8申请日期2013-11-08
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-02-12公开/公告号CN103572256A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C16/44IPC分类号C;2;3;C;1;6;/;4;4;;;C;2;3;C;1;6;/;4;4;8;;;C;2;3;C;1;6;/;3;0;;;H;0;1;L;3;1;/;2;0查看分类表>
申请人蚌埠玻璃工业设计研究院;中国建材国际工程集团有限公司申请人地址
安徽省蚌埠市禹会区涂山路1047号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人蚌埠玻璃工业设计研究院,中国建材国际工程集团有限公司当前权利人蚌埠玻璃工业设计研究院,中国建材国际工程集团有限公司
发明人彭寿;王芸;马立云;崔介东
代理机构安徽省蚌埠博源专利商标事务所代理人杨晋弘
摘要
本发明公开一种制备P型掺杂非晶硅碳薄膜的装置,包括真空腔室(1),真空腔室(1)内底部设有衬底板(5)、衬底加热器(13)与衬底挡板(14)并连接有真空泵通道(15);真空腔室(1)内顶部设有与直流电源(4)连接的钽丝(2)以及混合反应气体进气通道(10);真空腔室(1)的侧壁两侧分别设有铝磁控溅射装置(7)与碳磁控溅射装置(9)以及第一氩气通道(11)与第二氩气通道(12);钽丝(2)发热后发射电子电离出氩离子,氩离子轰击铝靶(6)与碳靶(8)溅射出铝原子与碳原子,然后进行化学气相沉积完成P型掺杂的非晶硅碳薄膜的制备;将化学气相沉积技术与磁控溅射技术相结合,掺杂效率高且掺杂均匀,能有效提高电导率。

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