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半导体存储装置

发明专利有效专利

申请号：
CN200910146177.1
IPC分类号：H01L43/08;H01L43/10;G11C11/15
申请日期：
2009-06-18
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体存储装置
申请号	CN200910146177.1	申请日期	2009-06-18
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2010-10-13	公开/公告号	CN101859870A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L43/08 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L43/00 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L43/08 磁场控制的电阻器〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;3;/;0;8;;;H;0;1;L;4;3;/;1;0;;;G;1;1;C;1;1;/;1;5查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	王郁仁;高雅真;林春荣
代理机构	北京德恒律师事务所	代理人	陆鑫;高雪琴

摘要

本发明提供了一种半导体存储装置，包括：一底电极，位于一半导体基底上；一反铁磁层，设置于该底电极之上；一第一固定参考层，设置于该反铁磁层之上；一穿隧绝缘层，设置于该第一固定参考层之上；一第一铁磁层，设置于该穿隧绝缘层之上；一第二铁磁层，设置于该第一铁磁层之上；以及一顶电极，设置于该第二铁磁层之上。本发明的半导体存储装置可降低其写入电流且不会劣化其磁阻值与热稳定性。

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