一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置

发明专利无效专利

申请号：
CN200710063709.6
IPC分类号：C30B25/10;C30B29/36
申请日期：
2007-02-07
申请人：
中国科学院半导体研究所

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专利名称	一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置
申请号	CN200710063709.6	申请日期	2007-02-07
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2008-08-13	公开/公告号	CN101240445
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B25/10 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B25/00 反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长〔3〕 C30B25/02 外延层生长〔3〕 C30B25/10 反应室或衬底的加热〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;5;/;1;0;;;C;3;0;B;2;9;/;3;6查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	孙国胜;王雷;赵万顺;李家业;赵永梅;刘兴昉
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	汤保平

摘要

一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置，包含一中央转动装置，该装置包括：一石墨托盘，为一盘状；一石墨支撑杆；一传动轴杆，上端与石墨支撑杆连接；一支撑管；一支撑件，上端与支撑管连接；一支撑座，与支撑件连接；一联轴器，其上端与传动轴杆插接连接；一中心调节器，为一筒状，两端具有法兰；一三通排气管，位于中央转动装置上的支撑座上，中央转动装置穿过该三通排气管的两端，该三通排气管通过法兰与中心调节器连接；一石英管反应生长室，石英管反应生长室罩扣于中央转动装置，并与三通排气管固定；一磁力旋转装置，位于中心调节器的下方，通过传动轴与中央转动装置的联轴器连接。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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