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一种太阳能级多晶硅片表面制绒方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201710488878.8
IPC分类号：H01L21/306;H01L31/18;H01L31/0236
申请日期：
2017-06-23
申请人：
镇江仁德新能源科技有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种太阳能级多晶硅片表面制绒方法
申请号	CN201710488878.8	申请日期	2017-06-23
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2019-01-01	公开/公告号	CN109119337A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/306 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/302 改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割〔2〕 H01L21/306 化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L 21/31；绝缘层的后处理入H01L 21/3105）〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;3;6查看分类表>
申请人	镇江仁德新能源科技有限公司	申请人地址	江苏省镇江市扬中市经济开发区港隆路变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	镇江仁德新能源科技有限公司	当前权利人	镇江仁德新能源科技有限公司
发明人	余刚;丁一;王剑;姚玖洪
代理机构	常州佰业腾飞专利代理事务所（普通合伙）	代理人	刘娟娟

摘要

本发明提供的一种太阳能级多晶硅片表面制绒方法，包括酸洗溶液配制、酸腐、碱腐、HF和HCl混合溶液腐蚀、以及吹干五个工序。由于在第一个工序只中配制的酸洗溶液中含有HNO3、HF和H2SiF6，解决相同条件下多晶硅在仅含HNO3和HF酸溶液中腐蚀过快，绒面凹坑宽度过大且深度不够，不利于其陷光性能的提高的问题。

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