钛酸钡系半导体瓷组合物和使用其的PTC元件

发明专利有效专利

申请号：
CN200780035937.0
IPC分类号：C04B35/46;H01C7/02
申请日期：
2007-09-18
申请人：
株式会社村田制作所

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著录项信息

专利名称	钛酸钡系半导体瓷组合物和使用其的PTC元件
申请号	CN200780035937.0	申请日期	2007-09-18
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2009-08-26	公开/公告号	CN101516802
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C04B35/46 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C04 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕 C04B 石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷（微晶玻璃陶瓷入C03C 10/00）；耐火材料（难熔金属的合金入C22C）；天然石的处理〔4〕 C04B35/00 以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物（含有不用作宏观增强剂的，粘接在碳化物、金刚石、氧化物、硼化物、氮化物、硅化物上的游离金属，例如陶瓷或其他金属化合物，例如氧氮化合物或硫化物的入C22C）；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末〔4〕 C04B35/01 以氧化物为基料的〔6〕 C04B35/46 以氧化钛或钛酸盐为基料的（也含氧化锆或氧化铪、锆酸盐或铪酸盐入C04B 35/49）〔6〕	IPC分类号	C;0;4;B;3;5;/;4;6;;;H;0;1;C;7;/;0;2查看分类表>
申请人	株式会社村田制作所	申请人地址	日本京都府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社村田制作所	当前权利人	株式会社村田制作所
发明人	胜勇人;三原贤二良;新见秀明
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	李香兰

摘要

本发明提供一种钛酸钡系半导体瓷组合物，其是居里温度高、室温下的电阻率低、呈现需要的电阻变化率的钛酸钡系半导体瓷组合物，还提供一种PTC元件。本发明的钛酸钡系半导体瓷组合物是至少含有钡和钛的钙钛矿结构的钛酸钡系半导体瓷组合物，钡的一部分至少被碱金属元素、铋及稀土元素置换，在将钛的含量设为100摩尔份时，作为碱金属元素、铋及稀土元素的以摩尔份表示的各含量的关系的(碱金属元素的含量)/{(铋的含量)+(稀土元素的含量)}的比率为1.00以上、1.06以下。PTC热敏电阻(1)具备由具有所述特征的钛酸钡系半导体瓷组合物构成的陶瓷坯料(20)和在其两侧面形成的电极(11，12)。

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