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钛酸钡系半导体瓷组合物和使用其的PTC元件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200780035937.0
  • IPC分类号:C04B35/46;H01C7/02
  • 申请日期:
    2007-09-18
  • 申请人:
    株式会社村田制作所
著录项信息
专利名称钛酸钡系半导体瓷组合物和使用其的PTC元件
申请号CN200780035937.0申请日期2007-09-18
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2009-08-26公开/公告号CN101516802
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/46IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;4;6;;;H;0;1;C;7;/;0;2查看分类表>
申请人株式会社村田制作所申请人地址
日本京都府 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社村田制作所当前权利人株式会社村田制作所
发明人胜勇人;三原贤二良;新见秀明
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人李香兰
摘要
本发明提供一种钛酸钡系半导体瓷组合物,其是居里温度高、室温下的电阻率低、呈现需要的电阻变化率的钛酸钡系半导体瓷组合物,还提供一种PTC元件。本发明的钛酸钡系半导体瓷组合物是至少含有钡和钛的钙钛矿结构的钛酸钡系半导体瓷组合物,钡的一部分至少被碱金属元素、铋及稀土元素置换,在将钛的含量设为100摩尔份时,作为碱金属元素、铋及稀土元素的以摩尔份表示的各含量的关系的(碱金属元素的含量)/{(铋的含量)+(稀土元素的含量)}的比率为1.00以上、1.06以下。PTC热敏电阻(1)具备由具有所述特征的钛酸钡系半导体瓷组合物构成的陶瓷坯料(20)和在其两侧面形成的电极(11,12)。

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