以Si为助剂热压制备单相致密碳化铝钛块体材料的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN03128183.4
IPC分类号：--
申请日期：
2003-06-20
申请人：
武汉理工大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	以Si为助剂热压制备单相致密碳化铝钛块体材料的方法
申请号	CN03128183.4	申请日期	2003-06-20
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-12-10	公开/公告号	CN1460660
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	武汉理工大学	申请人地址	湖北省武汉市武昌珞狮路122号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉理工大学	当前权利人	武汉理工大学
发明人	朱教群;梅炳初;徐学文;刘俊
代理机构	湖北武汉永嘉专利代理有限公司	代理人	张安国

摘要

一种以Si为助剂热压制备单相致密Ti3AlC2块体材料的方法。该方法以TiC粉、Ti粉、Si粉和Al粉为原料，四种原料的摩尔比为TiC∶Ti∶Al∶Si＝2∶1∶0.95～1.05∶0.15～0.25。原料粉末混合均匀后，在通有Ar气做为保护气氛的热压炉中烧结，烧结温度为1200～1500℃，保温时间1～8小时，压力为20～80MPa。本法制得的产物中Ti3AlC2含量高达98wt%以上，Ti3AlC2块体材料的致密度达到99%。本发明的工艺简单，适合于工业生产。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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