一种Micro-LED芯片的转移方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202211218701.3
IPC分类号：H01L33/00;H01L33/48;H01L33/62;H01L27/15;H01L21/677
申请日期：
2022-10-07
申请人：
罗化芯显示科技开发（江苏）有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种Micro-LED芯片的转移方法
申请号	CN202211218701.3	申请日期	2022-10-07
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2022-11-04	公开/公告号	CN115295689A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;6;2;;;H;0;1;L;2;7;/;1;5;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7;7查看分类表>
申请人	罗化芯显示科技开发（江苏）有限公司	申请人地址	江苏省南通市开发区星宇路30号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	罗化芯显示科技开发（江苏）有限公司	当前权利人	罗化芯显示科技开发（江苏）有限公司
发明人	李雍;陈文娟;瞿澄;王怀厅
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及一种Micro‑LED芯片的转移方法，涉及微发光二极管显示制造领域。在本发明的Micro‑LED芯片的转移过程中，通过在生长衬底的第一侧边处形成第一外延块，在生长衬底的第二侧边处形成第二外延块；并在第一外延块与第二外延块中分别形成第一条形金属块和第二条形金属块，在后续的转移过程中，将所述第一外延块和所述第二外延块转移至所述驱动基板的一个角落处，使得所述第一条形金属块位于所述驱动基板的第一侧边，且所述第二条形金属块位于所述驱动基板的第二侧边，且使得所述第一条形金属块和所述第二条形金属块分别嵌入到所述平坦化层中。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供