暗场光学检查装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201980066101.X
IPC分类号：G01N21/47;G01B11/30;G02B5/10;G01N21/88;G01N21/95
申请日期：
2019-09-20
申请人：
统一半导体公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	暗场光学检查装置
申请号	CN201980066101.X	申请日期	2019-09-20
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-05-28	公开/公告号	CN112867919A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N21/47 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N21/00 利用光学手段，即利用红外光、可见光；或紫外光来测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 19/00优先） G01N21/17 入射光根据所测试的材料性质而改变的系统（其中所测试的材料因受到光学激发而引起入射光波长改变的入G01N 21/63）〔3〕 G01N21/47 散射，即漫反射（G01N 21/25，G01N 21/41优先）〔3〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;1;/;4;7;;;G;0;1;B;1;1;/;3;0;;;G;0;2;B;5;/;1;0;;;G;0;1;N;2;1;/;8;8;;;G;0;1;N;2;1;/;9;5查看分类表>
申请人	统一半导体公司	申请人地址	法国蒙特邦奥圣马尔坦变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	统一半导体公司	当前权利人	统一半导体公司
发明人	M·杜兰德·德热维涅
代理机构	北京三友知识产权代理有限公司	代理人	王小东;黄纶伟

摘要

本发明涉及一种对诸如用于电子器件、光学器件或电子器件的晶片的基板(3)进行检查的暗场光学装置(1)，该暗场光学装置包括：光源(4)，该光源生成被投射到基板(3)的检查区(P)上并且能够以漫射辐射(5)的形式从该检查区反射的至少一个入射照明光束(4a、4a’、4a”)；至少一个第一收集装置(7a)以及一个第二收集装置(7b)；以及反射光学装置(6)，该反射光学装置沿收集装置(7a、7b)的方向引导漫射辐射(5)的从与检查区(P)重合的光学收集焦点(F)发出的至少一部分，反射光学装置具有第一反射区(6a)和第二反射区，从反射区朝着与光学收集焦点(F)在光学上共轭的第一光学检测焦点(Fa)反射漫射辐射(5)的第一部分，并且从反射区朝着与光学收集焦点(F)在光学上共轭并与第一光学检测焦点(Fa)分离的第二光学检测焦点(Fb)反射漫射辐射(5)的第二部分。

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