一种集成MRAM的存储卡控制芯片及存储卡

发明专利有效专利

申请号：
CN201510405590.0
IPC分类号：G06F12/02
申请日期：
2015-07-10
申请人：
上海磁宇信息科技有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种集成MRAM的存储卡控制芯片及存储卡
申请号	CN201510405590.0	申请日期	2015-07-10
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-05-25	公开/公告号	CN105608013A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F12/02 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G06 计算；推算；计数 G06F 电数字数据处理（基于特定计算模型的计算机系统入G06N） G06F12/00 安装在筛选装置之上的在存储器系统或体系结构内的存取、寻址或分配（来自记录载体的数字输入，或者到记录载体上去的数字输出，例如到磁盘存储单元，G06F 3/06）〔4，5〕 G06F12/02 寻址或地址分配；地址的重新分配（程序地址排序入G06F9/00；在数字存储器中选择地址的设计入G11C8/00）〔4，2006.01〕	IPC分类号	G;0;6;F;1;2;/;0;2查看分类表>
申请人	上海磁宇信息科技有限公司	申请人地址	上海市嘉定区城北路235号二号楼二层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海磁宇信息科技有限公司	当前权利人	上海磁宇信息科技有限公司
发明人	戴瑾
代理机构	上海容慧专利代理事务所（普通合伙）	代理人	于晓菁

摘要

本发明提供一种存储卡控制芯片，包括CPU、主机接口、NAND控制器以及MRAM，主机接口用于连接主机，NAND控制器用于连接一个或一组NAND芯片，CPU与NAND控制器、MRAM连接。本发明还提供一种存储卡及读写方法。本发明提供的存储卡控制芯片、存储卡及读写方法，使用MRAM取代SRAM集成在存储卡控制芯片中，由于MRAM能够快速随机读写，因而能够保证写入性能；NAND管理软件存储于MRAM中，既可靠又可以在开发的过程中修改甚至售后升级，非常灵活；由于使用MRAM，能够提供写缓存或读写缓存，提高存储卡的读写性能；同时减少写入NAND芯片的次数，延长存储卡的寿命。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供