一种功率器件及其封装方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810927545.5
IPC分类号：H01L23/31;H01L23/49;H01L21/56
申请日期：
2018-08-15
申请人：
深圳市金誉半导体有限公司

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专利名称	一种功率器件及其封装方法
申请号	CN201810927545.5	申请日期	2018-08-15
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-12-28	公开/公告号	CN109103152A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/31 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/28 封装，例如密封层、涂覆物（H01L 23/552优先）〔2，5〕 H01L23/31 按配置特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6查看分类表>
申请人	深圳市金誉半导体有限公司	申请人地址	广东省深圳市龙华新区大浪街道浪口社区华昌路华昌工业区第2栋1-3层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳市金誉半导体有限公司	当前权利人	深圳市金誉半导体有限公司
发明人	覃尚育;胡慧雄;黄寅财;邓林波;杜永琴
代理机构	深圳市兰锋知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	曹明兰

摘要

本发明公开了一种功率器件，其包括芯片、形成在所述芯片上的金属层、形成在所述金属层上的钝化层、封装层、传感器和引线，所述钝化层上开设有传感器窗口和多个打线窗口，所述传感器设置于所述传感器窗口内且与所述金属层电连接，所述封装层包括形成在所述钝化层、所述打线窗口上的防水层和形成在所述传感器窗口上且覆盖所述传感器的聚酰亚胺层，所述引线穿过所述防水层与所述金属层电性连接在所述打线窗口内。还公开了一种功率器件的封装方法。其能保护功率器件上的传感器免受损伤。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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