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一种基于石墨烯和超表面结构的耦合装置及制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910741582.1
  • IPC分类号:G02B1/00;G02B6/12
  • 申请日期:
    2019-08-12
  • 申请人:
    武汉邮电科学研究院有限公司;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
著录项信息
专利名称一种基于石墨烯和超表面结构的耦合装置及制备方法
申请号CN201910741582.1申请日期2019-08-12
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-12-20公开/公告号CN110596791A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02B1/00IPC分类号G;0;2;B;1;/;0;0;;;G;0;2;B;6;/;1;2查看分类表>
申请人武汉邮电科学研究院有限公司;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司申请人地址
湖北省武汉市洪山区邮科院路88号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉邮电科学研究院有限公司,武汉光谷信息光电子创新中心有限公司当前权利人武汉邮电科学研究院有限公司,武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
发明人胡晓;肖希;张宇光;陈代高;李淼峰;王磊;冯朋;余少华
代理机构武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙)代理人邱云雷
摘要
本发明公开了一种耦合装置及方法,包括衬底、绝缘层、第一超表面结构、第二超表面结构和第三超表面结构、石墨烯层,第一超表面结构、第二超表面结构、第三超表面结构分别包括沿X方向周期性布置的第一单元、第二单元、第三单元;耦合装置的几何参数包括第一超表面结构、第二超表面结构、第三超表面结构各自的折射率、周期和厚度;几何参数被配置为入射光射向石墨烯层时,第三超表面结构和第一超表面结构分别将入射光透射和反射至第二超表面结构,使入射光在第二超表面结构内传播,入射光入射方向和入射光在第二超表面结构内的传播方向所在平面与XOY面垂直,入射方向与传播方向夹角为钝角。本发明具有大带宽、耦合效率高的优点。

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