SiOC膜的氧化还原

发明专利有效专利

申请号：
CN201980083347.8
IPC分类号：H01L21/768;H01L21/02;H01L21/311;H01L21/324
申请日期：
2019-11-11
申请人：
应用材料公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	SiOC膜的氧化还原
申请号	CN201980083347.8	申请日期	2019-11-11
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-30	公开/公告号	CN113196462A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/768 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/70 由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K 3/00，H05K 13/00）〔2〕 H01L21/71 限定在组H01L 21/70中的器件的特殊部件的制造（H01L 21/28，H01L 21/44，H01L 21/48优先）〔6〕 H01L21/768 利用互连在器件中的分离元件间传输电流〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;1;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;4查看分类表>
申请人	应用材料公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	应用材料公司	当前权利人	应用材料公司
发明人	M·J·西蒙斯;M·W·蒋;梁璟梅
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	史起源;侯颖媖

摘要

在此描述的实施例总体上涉及在沟槽之上形成可流动低k介电层的方法，所述沟槽形成于图案化基板的表面上。所述方法包括：将含硅和碳前驱物传递至基板处理腔室的基板处理区域中达第一时间段和第二时间段；使含氧前驱物流进等离子体源的远程等离子体区域中，同时点燃远程等离子体以形成自由基氧前驱物；在经过所述第一时间段之后且于所述第二时间段期间，使所述自由基氧前驱物以第二流速流进所述基板处理区域；以及在经过所述第二时间段之后，将所述含硅和碳介电前驱物暴露至电磁辐射达第三时间段。

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