一种电致发光器件及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610368075.4
IPC分类号：H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
申请日期：
2016-05-27
申请人：
纳晶科技股份有限公司

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著录项信息

专利名称	一种电致发光器件及其制作方法
申请号	CN201610368075.4	申请日期	2016-05-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-09-28	公开/公告号	CN105977393A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;0;;;H;0;1;L;5;1;/;5;2;;;H;0;1;L;5;1;/;5;6查看分类表>
申请人	纳晶科技股份有限公司	申请人地址	浙江省杭州市滨江区秋溢路500号1幢4楼405-407室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	纳晶科技股份有限公司	当前权利人	纳晶科技股份有限公司
发明人	甄常刮;陈超
代理机构	北京科亿知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	汤东凤

摘要

本发明公开一种电致发光器件及其制作方法。该电致发光器件包括具有透射性的第一电极层、具有反射性的第二电极层以及设置在第一电极层和第二电极层之间的发光层，还包括与所述第二电极层相邻的第二电极层接触层，所述第二电极层与所述第二电极层接触层之间的接触面是粗糙面。本发明直接将电致发光器件中的第二电极层与第二电极层接触层之间的接触面(即反射面)设置成粗糙面，粗糙面上布满无数的凹陷和凸起，无论是凹陷还是凸起，表面等离子体波都只在其轮廓线的切线方向传播，这就使得表面等离子体波的传播受到限制，表面等离子体波的传播距离被大大缩短，从而有效降低反射光能量衰减程度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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