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ppn型发光晶体管及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710028069.5
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2007-05-21
  • 申请人:
    华南师范大学
著录项信息
专利名称ppn型发光晶体管及其制备方法
申请号CN200710028069.5申请日期2007-05-21
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2007-10-24公开/公告号CN101060154
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人华南师范大学申请人地址
广东省广州市天河区石牌 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华南师范大学当前权利人华南师范大学
发明人郭志友;张建中;孙慧卿;范广涵
代理机构广州粤高专利代理有限公司代理人何淑珍
摘要
本发明涉及一种基于III-V族化合物或者II-VI族化合物的高发光效率的ppn型发光晶体管,包括衬底、缓冲层、n型布拉格反射层、n型电子发射层、发射电极、多量子阱有源发光层、窄带隙p-型基区层,与p-型基区层通过欧姆接触形成的电极、宽带隙p+型集电极层以及与p+型集电极层欧姆接触的电极;本发明还涉及所述ppn型发光晶体管的制备方法;本发明采用了p+型、p-型、n型晶体管结构;具有p-型基极可以控制发光。

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