光刻胶图形及其形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910005475.2
IPC分类号：H01L21/027;G03F7/16
申请日期：
2019-01-03
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

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专利名称	光刻胶图形及其形成方法
申请号	CN201910005475.2	申请日期	2019-01-03
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-07-10	公开/公告号	CN111403270A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/027 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/027 未在H01L 21/18或H01L 21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;7;;;G;0;3;F;7;/;1;6查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
发明人	张海洋;陈卓凡
代理机构	上海知锦知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	高静;李丽

摘要

一种光刻胶图形及其形成方法，方法包括：提供基底；在基底上形成初始光刻胶图形层，包括图形密集区和图形稀疏区；对初始光刻胶图形层进行至少一次蚀刻前预处理，形成光刻胶图形层，蚀刻前预处理的步骤包括：形成附着在初始光刻胶图形层表面的修整层；对表面附着有修整层的初始光刻胶图形层进行修整处理，以减小初始光刻胶图形层的侧壁与基底表面之间的角度；或者，蚀刻前预处理的步骤包括：对表面附着有修整层的初始光刻胶图形层进行修整处理以减小初始光刻胶图形层侧壁与基底表面之间的角度；形成附着在剩余初始光刻胶图形层表面的修整层。本发明实施例有利于提高图形密集区和图形稀疏区上关键尺寸的一致性、提高图形转移的精度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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