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半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010106941.5
  • IPC分类号:H01L33/48;H01L33/60;H01L33/52;H01L25/075
  • 申请日期:
    2010-01-29
  • 申请人:
    日亚化学工业株式会社
著录项信息
专利名称半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法
申请号CN201010106941.5申请日期2010-01-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2010-08-04公开/公告号CN101794855A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/48IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;6;0;;;H;0;1;L;3;3;/;5;2;;;H;0;1;L;2;5;/;0;7;5查看分类表>
申请人日亚化学工业株式会社申请人地址
日本德岛县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人日亚化学工业株式会社当前权利人日亚化学工业株式会社
发明人伊延元孝;山田元量;镰田和宏
代理机构永新专利商标代理有限公司代理人周欣;陈建全
摘要
本发明提供一种半导体发光装置,其具有:支持体、设置在支持体的表面且具有含银金属的金属部件、载置在支持体上的发光元件、使金属部件与发光元件导通的导电性细丝、设置在支持体上且反射来自发光元件的光的光反射树脂、及将金属部件的表面的至少一部分覆盖的绝缘部件。绝缘部件被设置为与发光元件的侧面相接。由此,可抑制来自发光元件的光从支持体泄漏,可得到光取出效率高的发光装置。

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