发光二极管封装结构的制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200710026316.8
IPC分类号：H01L33/00;H01L21/50;H01L21/60
申请日期：
2007-01-11
申请人：
鹤山丽得电子实业有限公司

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著录项信息

专利名称	发光二极管封装结构的制作方法
申请号	CN200710026316.8	申请日期	2007-01-11
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-08-22	公开/公告号	CN101022148
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;5;0;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人	鹤山丽得电子实业有限公司	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	广东银雨芯片半导体有限公司	当前权利人	广东银雨芯片半导体有限公司
发明人	樊邦弘
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种发光二极管封装结构的制作方法，在一金属封装基板上制作包括至少一个碗杯状的灯杯，并在该灯杯内形成反射面；在所述灯杯一端边缘处设置第一导电极，并在第一导电极上设置导线连接块，在所述第一导电极与所述封装基板之间，设置隔绝第一导电极与封装基板之间电连接的绝缘层，所述封装基板为第二导电极，并在与第一导电极相对的灯杯边缘处设置第二导电极的导线连接块；最后在灯杯底部的表面上安装至少一个LED芯片。基于本发明的结构和所选取的材料，采用电镀银(Ag)进行封装基板的内、外表面处理，从而使得反光效果好，导热、导电性能良好，并且在盖板上涂覆荧光粉，增加了光线亮度，同时也可以产生彩色效果。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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