硅片及硅太阳电池片缺陷检测装置

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201120392780.0
IPC分类号：G01N21/88
申请日期：
2011-10-16
申请人：
上海太阳能工程技术研究中心有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	硅片及硅太阳电池片缺陷检测装置
申请号	CN201120392780.0	申请日期	2011-10-16
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N21/88 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N21/00 利用光学手段，即利用红外光、可见光；或紫外光来测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 19/00优先） G01N21/84 专用于特殊应用的系统〔3〕 G01N21/88 测试瑕疵、缺陷或污点的存在〔3〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;1;/;8;8查看分类表>
申请人	上海太阳能工程技术研究中心有限公司	申请人地址	上海市闵行区申南路555号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海太阳能工程技术研究中心有限公司	当前权利人	上海太阳能工程技术研究中心有限公司
发明人	刘小宇;薛永胜;丁叶飞;张滢清
代理机构	上海科盛知识产权代理有限公司	代理人	杨元焱

摘要

本实用新型提供了一种硅片及硅太阳电池片缺陷检测装置，它包括硅片及硅太阳电池片光致发光激发机构、红外成像机构和计算机；硅片及硅太阳电池片光致发光激发机构设置在硅片或硅太阳电池片的近旁激发硅片发光，红外成像机构设置在硅片或硅太阳电池片的上方检测硅片或硅太阳电池片的发光信号并将其传输到计算机，计算机通过安装在其内的图像采集、图像处理及数据分析软件得出硅片或硅太阳电池片的缺陷参数。本实用新型的硅片及硅太阳电池片缺陷检测装置能方便快速地检测出硅片材料本身的缺陷、结晶缺陷、碎片、材料污染等缺陷，并且实现了无接触检测，具有结构简单、使用方便、缺陷参数检测可靠精确等优点和特点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供